FQPF19N10

Fairchild Semiconductor FQPF19N10

Das Bild dient nur als Referenz, bitte beachten Sie die Produktspezifikation

  • FQPF19N10
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • FQPF19N10 Datenblatt
  • TO-220-3 Full Pack
  • Tape & Reel (TR)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 4610
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
FQPF19N10
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
Fairchild Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F
Paket
Tape & Reel (TR)
Serie
QFET®
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket des Lieferanten
TO-220F-3
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
38W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
780 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±25V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
10V

FQPF19N10 Garantien

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