Fairchild Semiconductor FQPF4N90CT
- FQPF4N90CT
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FQPF4N90CT Datenblatt
- TO-220-3 Full Pack
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 3195
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| Teilenummer FQPF4N90CT |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Fairchild Semiconductor |
| Beschreibung MOSFET N-CH 900V 4A TO220F |
| Paket Bulk |
| Serie QFET® |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Through Hole |
| Paket/Koffer TO-220-3 Full Pack |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-220F-3 |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 47W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2Ohm @ 2A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 5V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 960 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±30V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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