GeneSiC Semiconductor G3R20MT12K
- G3R20MT12K
- GeneSiC Semiconductor
- SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- G3R20MT12K Datenblatt
- TO-247-4
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2682
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer G3R20MT12K |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller GeneSiC Semiconductor |
Beschreibung SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4 |
Paket Tube |
Serie G3R™ |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-247-4 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-247-4 |
Technologie SiCFET (Silicon Carbide) |
Verlustleistung (max.) 542W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 128A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 60A, 15V |
Vgs(th) (Max) @Id 2.69V @ 15mA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 219 nC @ 15 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 5873 pF @ 800 V |
Vgs (Max) ±15V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 15V |
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Bemerkungen
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