ON Semiconductor NTH4L040N120SC1
- NTH4L040N120SC1
- ON Semiconductor
- TRANS SJT N-CH 1200V 58A TO247-4
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- NTH4L040N120SC1 Datenblatt
- TO-247-4
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 3520
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer NTH4L040N120SC1 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung TRANS SJT N-CH 1200V 58A TO247-4 |
Paket Tube |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-247-4 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-247-4L |
Technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Verlustleistung (max.) 319W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 58A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 35A, 20V |
Vgs(th) (Max) @Id 4.3V @ 10mA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 106 nC @ 20 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1762 pF @ 800 V |
Vgs (Max) +25V, -15V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 20V |
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