GA35XCP12-247

GeneSiC Semiconductor GA35XCP12-247

Das Bild dient nur als Referenz, bitte beachten Sie die Produktspezifikation

  • GA35XCP12-247
  • GeneSiC Semiconductor
  • IGBT 1200V SOT247
  • Transistors - IGBTs - Single
  • GA35XCP12-247 Datenblatt
  • TO-247-3
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 805
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
GA35XCP12-247
Kategorie
Transistors - IGBTs - Single
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
IGBT 1200V SOT247
Paket
Tube
Serie
-
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-247AB
Power-Max
-
Eingabetyp
Standard
Reverse Recovery Time (trr)
36 ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
-
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
1200 V
IGBT-Typ
PT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3V @ 15V, 35A
Gate-Gebühr
50 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C
-
Testbedingung
800V, 35A, 22Ohm, 15V
Strom – Kollektor gepulst (Icm)
35 A
Energie wechseln
2.66mJ (on), 4.35mJ (off)

GA35XCP12-247 Garantien

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