GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80ESIGR
- GD25Q80ESIGR
- GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
- 8MBIT NOR FLASH /3.3V /SOP8 208M
- Memory
- GD25Q80ESIGR Datenblatt
- 8-SOIC (0.209\", 5.30mm Width)
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2530
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer GD25Q80ESIGR |
Kategorie Memory |
Hersteller GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
Beschreibung 8MBIT NOR FLASH /3.3V /SOP8 208M |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie - |
Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 8-SOIC (0.209\", 5.30mm Width) |
Gerätepaket des Lieferanten 8-SOP |
Speichergröße 8Mb (1M x 8) |
Technologie FLASH - NOR |
Speichertyp Non-Volatile |
Taktfrequenz 133 MHz |
Zugriffszeit 7 ns |
Gedächtnis-Format FLASH |
Schreibzykluszeit – Wort, Seite 70µs, 2ms |
Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O |
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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
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GigaDevice Semiconductor Inc. was founded in April 2005 and is a Chinese company headquartered in Beijing, China. It has branches and offices in multiple countries and regions including Shanghai, Shenzhen, Hefei, Xi'an, Chengdu, Hong...

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