Toshiba Semiconductor and Storage GT30J341,Q
- GT30J341,Q
- Toshiba Semiconductor and Storage
- IGBT TRANS 600V 30A TO3PN
- Transistors - IGBTs - Single
- GT30J341,Q Datenblatt
- TO-3P-3, SC-65-3
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 14382
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer GT30J341,Q |
Kategorie Transistors - IGBTs - Single |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
Beschreibung IGBT TRANS 600V 30A TO3PN |
Paket Cut Tape (CT) |
Serie - |
Betriebstemperatur 175°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-3P-3, SC-65-3 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-3P(N) |
Power-Max 230 W |
Eingabetyp Standard |
Reverse Recovery Time (trr) 50 ns |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 59 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 600 V |
IGBT-Typ - |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A |
Gate-Gebühr - |
Td (ein/aus) bei 25 °C 80ns/280ns |
Testbedingung 300V, 30A, 24Ohm, 15V |
Strom – Kollektor gepulst (Icm) 120 A |
Energie wechseln 800µJ (on), 600µJ (off) |
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