GT30J341,Q

Toshiba Semiconductor and Storage GT30J341,Q

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  • GT30J341,Q
  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • IGBT TRANS 600V 30A TO3PN
  • Transistors - IGBTs - Single
  • GT30J341,Q Datenblatt
  • TO-3P-3, SC-65-3
  • Cut Tape (CT)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 14382
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
GT30J341,Q
Kategorie
Transistors - IGBTs - Single
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
IGBT TRANS 600V 30A TO3PN
Paket
Cut Tape (CT)
Serie
-
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Montageart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-3P(N)
Power-Max
230 W
Eingabetyp
Standard
Reverse Recovery Time (trr)
50 ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
59 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
600 V
IGBT-Typ
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 30A
Gate-Gebühr
-
Td (ein/aus) bei 25 °C
80ns/280ns
Testbedingung
300V, 30A, 24Ohm, 15V
Strom – Kollektor gepulst (Icm)
120 A
Energie wechseln
800µJ (on), 600µJ (off)

GT30J341,Q Garantien

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