HAT2165N-EL-E

Renesas Electronics America Inc HAT2165N-EL-E

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  • HAT2165N-EL-E
  • Renesas Electronics America Inc
  • MOSFET N-CH 30V 55A 8LFPAK
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • HAT2165N-EL-E Datenblatt
  • 8-PowerSOIC (0.154\", 3.90mm Width)
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 1733
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
HAT2165N-EL-E
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
Renesas Electronics America Inc
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 55A 8LFPAK
Paket
Bulk
Serie
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-PowerSOIC (0.154\", 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten
8-LFPAK-iV
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
30W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.6mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 4.5 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
5.18 pF @ 10 V
Vgs (Max)
-
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
-

HAT2165N-EL-E Garantien

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