Renesas Electronics America Inc HAT2169H-EL-E
- HAT2169H-EL-E
- Renesas Electronics America Inc
- MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- HAT2169H-EL-E Datenblatt
- SC-100, SOT-669
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 20414
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer HAT2169H-EL-E |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Renesas Electronics America Inc |
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie - |
Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer SC-100, SOT-669 |
Gerätepaket des Lieferanten LFPAK |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 30W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 50A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 25A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 1mA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 4.5 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 6650 pF @ 10 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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