TK6Q60W,S1VQ

Toshiba Semiconductor and Storage TK6Q60W,S1VQ

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  • TK6Q60W,S1VQ
  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • MOSFET N-CH 600V 6.2A IPAK
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • TK6Q60W,S1VQ Datenblatt
  • TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 12641
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
TK6Q60W,S1VQ
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 6.2A IPAK
Paket
Tube
Serie
DTMOSIV
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montageart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Gerätepaket des Lieferanten
I-Pak
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
60W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
Super Junction
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
820mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
3.7V @ 310µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
390 pF @ 300 V
Vgs (Max)
±30V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
10V

TK6Q60W,S1VQ Garantien

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