Harris Corporation HGTD7N60C3S
- HGTD7N60C3S
- Harris Corporation
- 600 V, 14 A, N-CHANNEL IGBT
- Transistors - IGBTs - Single
- HGTD7N60C3S Datenblatt
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 8772
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer HGTD7N60C3S |
| Kategorie Transistors - IGBTs - Single |
| Hersteller Harris Corporation |
| Beschreibung 600 V, 14 A, N-CHANNEL IGBT |
| Paket Bulk |
| Serie - |
| Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-252AA |
| Power-Max 60 W |
| Eingabetyp Standard |
| Reverse Recovery Time (trr) - |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) 14 A |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 600 V |
| IGBT-Typ - |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 7A |
| Gate-Gebühr 23 nC |
| Td (ein/aus) bei 25 °C - |
| Testbedingung - |
| Strom – Kollektor gepulst (Icm) 56 A |
| Energie wechseln - |
HGTD7N60C3S Garantien



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Harris Semiconductor was founded in 1992. It is a global multinational company with a history of nearly 100 years. It is recognized as the world's leading supplier of high-quality welding materials. It mainly produces high-quality...
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