Integra Technologies Inc. IGN1011L70
- IGN1011L70
- Integra Technologies Inc.
- GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
- Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- IGN1011L70 Datenblatt
- PL32A2
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 1872
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| Teilenummer IGN1011L70 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| Hersteller Integra Technologies Inc. |
| Beschreibung GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND |
| Paket Bulk |
| Serie - |
| Paket/Koffer PL32A2 |
| Gerätepaket des Lieferanten PL32A2 |
| Frequenz 1.03GHz ~ 1.09GHz |
| Gewinnen 22dB |
| Rauschzahl - |
| Leistungsabgabe 80W |
| Transistortyp GaN HEMT |
| Spannungstest 50 V |
| Stromtest 22 mA |
| Spannungsbewertet 120 V |
| Nennstrom (Ampere) - |
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Bemerkungen
Integra Technologies Inc.

Founded in 1997, Integra Technologies, Inc. is a leading innovator specializing in RF and microwave high-power semiconductor and amplifier module solutions. The company is headquartered in El Segundo, California, USA. The first product launched...
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