Integra Technologies Inc. IGT1112M90
- IGT1112M90
- Integra Technologies Inc.
- GAN, RF POWER TRANSISTOR, X-BAND
- Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- IGT1112M90 Datenblatt
- -
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 19140
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| Teilenummer IGT1112M90 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| Hersteller Integra Technologies Inc. |
| Beschreibung GAN, RF POWER TRANSISTOR, X-BAND |
| Paket Bulk |
| Serie - |
| Paket/Koffer - |
| Gerätepaket des Lieferanten - |
| Frequenz - |
| Gewinnen - |
| Rauschzahl - |
| Leistungsabgabe - |
| Transistortyp - |
| Spannungstest - |
| Stromtest - |
| Spannungsbewertet - |
| Nennstrom (Ampere) - |
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Bemerkungen
Integra Technologies Inc.

Founded in 1997, Integra Technologies, Inc. is a leading innovator specializing in RF and microwave high-power semiconductor and amplifier module solutions. The company is headquartered in El Segundo, California, USA. The first product launched...
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