Infineon Technologies IPD50N08S413ATMA1
- IPD50N08S413ATMA1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 80V 50A TO252-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IPD50N08S413ATMA1 Datenblatt
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4490
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer IPD50N08S413ATMA1 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Infineon Technologies |
Beschreibung MOSFET N-CH 80V 50A TO252-3 |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Gerätepaket des Lieferanten PG-TO252-3-313 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 72W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 50A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.2mOhm @ 50A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 33µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1711 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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