Infineon Technologies IRF7811AVPBF
- IRF7811AVPBF
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IRF7811AVPBF Datenblatt
- 8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width)
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4710
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer IRF7811AVPBF |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Infineon Technologies |
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO |
Paket Tube |
Serie HEXFET® |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width) |
Gerätepaket des Lieferanten 8-SO |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 10.8A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 15A, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @Id 3V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 5 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1801 pF @ 10 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V |
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