JTDB75

Microsemi Corporation JTDB75

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  • JTDB75
  • Microsemi Corporation
  • RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW
  • Transistors - Bipolar (BJT) - RF
  • JTDB75 Datenblatt
  • 55AW
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 25654
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
JTDB75
Kategorie
Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW
Paket
Bulk
Serie
-
Betriebstemperatur
200°C (TJ)
Montageart
Chassis Mount
Paket/Koffer
55AW
Gerätepaket des Lieferanten
55AW
Gewinnen
7dB ~ 8.2dB
Power-Max
220W
Transistortyp
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
8A
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
55V
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
20 @ 1A, 5V
Frequenzübergang
960MHz ~ 1.215GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)
-

JTDB75 Garantien

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MS2209
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TRANS RF BIPO 70W 1.85 55KCR-1

TPR400
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10502
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TRANS RF BIPO 70W 1.85 55KCR-1

1214-370M
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TRANS RF BIPO 70W 1.85 55KCR-1

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