MDS60L

Microsemi Corporation MDS60L

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  • MDS60L
  • Microsemi Corporation
  • RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55AW
  • Transistors - Bipolar (BJT) - RF
  • MDS60L Datenblatt
  • 55AW
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 2078
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
MDS60L
Kategorie
Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55AW
Paket
Bulk
Serie
-
Betriebstemperatur
200°C (TJ)
Montageart
Chassis Mount
Paket/Koffer
55AW
Gerätepaket des Lieferanten
55AW
Gewinnen
10dB
Power-Max
120W
Transistortyp
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
4A
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
65V
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
20 @ 500mA, 5V
Frequenzübergang
1.03GHz ~ 1.09GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)
-

MDS60L Garantien

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