GeneSiC Semiconductor MBR600100CTR
- MBR600100CTR
- GeneSiC Semiconductor
- DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
- Diodes - Rectifiers - Arrays
- MBR600100CTR Datenblatt
- Twin Tower
- Bulk
- Lead free / RoHS Compliant
- 18961
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Part Number MBR600100CTR |
Category Diodes - Rectifiers - Arrays |
Manufacturer GeneSiC Semiconductor |
Description DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER |
Package Bulk |
Series - |
Mounting Type Chassis Mount |
Package / Case Twin Tower |
Supplier Device Package Twin Tower |
Diode Type Schottky |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 880 mV @ 300 A |
Current - Reverse Leakage @ Vr 1 mA @ 20 V |
Diode Configuration 1 Pair Common Anode |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100 V |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 300A |
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) - |
Operating Temperature - Junction - |
Package_case Twin Tower |
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Bemerkungen
GeneSiC Semiconductor
MURTA500120R
DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER
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DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER
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DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER