GeneSiC Semiconductor MBR60030CTR
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- GeneSiC Semiconductor
- DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER
- Diodes - Rectifiers - Arrays
- MBR60030CTR Datenblatt
- Twin Tower
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 1478
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Teilenummer MBR60030CTR |
Kategorie Diodes - Rectifiers - Arrays |
Hersteller GeneSiC Semiconductor |
Beschreibung DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER |
Paket Bulk |
Serie - |
Montageart Chassis Mount |
Paket/Koffer Twin Tower |
Gerätepaket des Lieferanten Twin Tower |
Diodentyp Schottky |
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If 750 mV @ 300 A |
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr 1 mA @ 20 V |
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Anode |
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30 V |
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 300A |
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) - |
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle - |
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Bemerkungen
GeneSiC Semiconductor

Founded in 2004, GeneSic Semiconductor Inc. is a manufacturing company specializing in silicon carbide (SiC) semiconductor components, founded by Dr. Ranbir Singh in the United States. GeneSic Semiconductor, as one of the pioneers and...

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