Microsemi Corporation MRF5812R2
- MRF5812R2
- Microsemi Corporation
- RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC
- Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- MRF5812R2 Datenblatt
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 913
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Teilenummer MRF5812R2 |
Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
Hersteller Microsemi Corporation |
Beschreibung RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC |
Paket 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Serie - |
Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Gerätepaket des Lieferanten 8-SO |
Gewinnen 15.5dB |
Power-Max 1.25W |
Transistortyp NPN |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 200mA |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 18V |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 50 @ 50mA, 5V |
Frequenzübergang 5GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) 2dB @ 500MHz |
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Bemerkungen
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Founded in 1960, Microsemi Corporation is a leading designer, manufacturer, and marketer of high-performance analog and mixed signal integrated circuits, as well as high reliability semiconductors. The company is headquartered in Irvine, California, USA,...

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