NXP USA Inc. MRFX1K80NR5578
- MRFX1K80NR5578
- NXP USA Inc.
- RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- MRFX1K80NR5578 Datenblatt
- OM-1230-4L2L
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 10818
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer MRFX1K80NR5578 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
Hersteller NXP USA Inc. |
Beschreibung RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
Paket Bulk |
Serie - |
Paket/Koffer OM-1230-4L2L |
Gerätepaket des Lieferanten OM-1230-4L2L |
Frequenz 1.8MHz ~ 400MHz |
Gewinnen 24.4dB |
Rauschzahl - |
Leistungsabgabe 1800W |
Transistortyp LDMOS (Dual) |
Spannungstest 65 V |
Stromtest 100 mA |
Spannungsbewertet 179 V |
Nennstrom (Ampere) 100mA |
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Bemerkungen
NXP USA Inc.

NXP USA Inc. is a globally leading semiconductor company and a subsidiary of NXP in the United States.
The predecessor of NXP USA Inc. can be traced back to Philips' semiconductor division established...

MRFX035HR5
TRANS LDMOS 35W 512 MHZ 65V

A3G26D055N-100
TRANS LDMOS 35W 512 MHZ 65V

A3G26D055N-2515
TRANS LDMOS 35W 512 MHZ 65V

A3G26D055N-2110
TRANS LDMOS 35W 512 MHZ 65V

A3G26D055N-1805
TRANS LDMOS 35W 512 MHZ 65V

A3V26S004NT6
TRANS LDMOS 35W 512 MHZ 65V

A2T27S020NR1
TRANS LDMOS 35W 512 MHZ 65V

A2T27S007NT1
TRANS LDMOS 35W 512 MHZ 65V