ON Semiconductor NDBA100N10BT4H
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- NDBA100N10BT4H
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- NDBA100N10BT4H Datenblatt
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 14415
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| Part Number NDBA100N10BT4H |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer ON Semiconductor |
| Description MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK |
| Package Cut Tape (CT) |
| Series - |
| Operating Temperature 175°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package D²PAK (TO-263) |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 110W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.9mOhm @ 50A, 15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2950 pF @ 50 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V, 15V |
| Package_case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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