EPC2007

EPC EPC2007

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  • EPC2007
  • EPC
  • GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • EPC2007 Datenblatt
  • Die
  • Cut Tape (CT)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 3803
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Part Number
EPC2007
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
EPC
Description
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Package
Cut Tape (CT)
Series
eGaN®
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
Die
Supplier Device Package
Die Outline (5-Solder Bar)
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)
Power Dissipation (Max)
-
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
205 pF @ 50 V
Vgs (Max)
+6V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Package_case
Die

EPC2007 Garantien

jinfftry-guarantee1

jinfftry-guarantee2

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