ON Semiconductor NJVMJD112G
- NJVMJD112G
- ON Semiconductor
- TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK-4
- Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- NJVMJD112G Datenblatt
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2228
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer NJVMJD112G |
Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK-4 |
Paket Bulk |
Serie - |
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Gerätepaket des Lieferanten DPAK |
Power-Max 1.75 W |
Transistortyp NPN - Darlington |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 2 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 100 V |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) 20µA |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V |
Frequenzübergang 25MHz |
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Bemerkungen
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