NJVMJD112T4G

ON Semiconductor NJVMJD112T4G

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  • NJVMJD112T4G
  • ON Semiconductor
  • TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
  • Transistors - Bipolar (BJT) - Single
  • NJVMJD112T4G Datenblatt
  • TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • -Reel®
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 1707
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
NJVMJD112T4G
Kategorie
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Paket
-Reel®
Serie
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten
DPAK
Power-Max
20 W
Transistortyp
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
2 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Strom – Kollektorabschaltung (max.)
20µA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Frequenzübergang
25MHz

NJVMJD112T4G Garantien

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