Renesas Electronics America Inc NP33N06YDG-E1-AY
- NP33N06YDG-E1-AY
- Renesas Electronics America Inc
- MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- NP33N06YDG-E1-AY Datenblatt
- 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 22852
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer NP33N06YDG-E1-AY |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Renesas Electronics America Inc |
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON |
Paket Cut Tape (CT) |
Serie - |
Betriebstemperatur 175°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
Gerätepaket des Lieferanten 8-HSON |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 1W (Ta), 97W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 33A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 16.5A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 3900 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 5V, 10V |
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