NP35N04YUG-E1-AY

Renesas Electronics America Inc NP35N04YUG-E1-AY

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  • NP35N04YUG-E1-AY
  • Renesas Electronics America Inc
  • MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • NP35N04YUG-E1-AY Datenblatt
  • 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
  • -Reel®
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 26559
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
NP35N04YUG-E1-AY
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
Renesas Electronics America Inc
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON
Paket
-Reel®
Serie
-
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Gerätepaket des Lieferanten
8-HSON
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
1W (Ta), 77W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
2850 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±20V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
10V

NP35N04YUG-E1-AY Garantien

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Renesas Electronics America Inc. is a semiconductor manufacturing company that specializes in designing, manufacturing, and selling embedded semiconductor solutions. Renesas Electronics America Inc. is the subsidiary of Renesas Electronics Corporation in the United...
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