Renesas Electronics America Inc NP35N04YUG-E1-AY
- NP35N04YUG-E1-AY
- Renesas Electronics America Inc
- MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- NP35N04YUG-E1-AY Datenblatt
- 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant
- 26559
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer NP35N04YUG-E1-AY |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Renesas Electronics America Inc |
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON |
Paket -Reel® |
Serie - |
Betriebstemperatur 175°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
Gerätepaket des Lieferanten 8-HSON |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 1W (Ta), 77W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 35A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 17.5A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 2850 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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