TPH1110ENH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage TPH1110ENH,L1Q

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  • TPH1110ENH,L1Q
  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • TPH1110ENH,L1Q Datenblatt
  • 8-PowerVDFN
  • Tape & Reel (TR)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 20829
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
TPH1110ENH,L1Q
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
Paket
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-PowerVDFN
Gerätepaket des Lieferanten
8-SOP Advance (5x5)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
1.6W (Ta), 42W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
114mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
4V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
600 pF @ 100 V
Vgs (Max)
±20V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
10V

TPH1110ENH,L1Q Garantien

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