ON Semiconductor NSVMUN5212DW1T1G
- NSVMUN5212DW1T1G
- ON Semiconductor
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
- Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
- NSVMUN5212DW1T1G Datenblatt
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 3045
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer NSVMUN5212DW1T1G |
Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie - |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Gerätepaket des Lieferanten SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Power-Max 250mW |
Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 50V |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) 500nA |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V |
Frequenzübergang - |
Widerstandsbasis (R1) 22kOhms |
Widerstand – Emitterbasis (R2) 22kOhms |
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Bemerkungen
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