Fairchild Semiconductor NTD24N06LT4G
- NTD24N06LT4G
- Fairchild Semiconductor
- POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- NTD24N06LT4G Datenblatt
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 995
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Teilenummer NTD24N06LT4G |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Fairchild Semiconductor |
Beschreibung POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 |
Paket Bulk |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Gerätepaket des Lieferanten DPAK |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 1.36W (Ta), 62.5W (Tj) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 24A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 10A, 5V |
Vgs(th) (Max) @Id 2V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 5 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1.14 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±15V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 5V |
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