NTD24N06LT4G

Fairchild Semiconductor NTD24N06LT4G

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  • NTD24N06LT4G
  • Fairchild Semiconductor
  • POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • NTD24N06LT4G Datenblatt
  • TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 995
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
NTD24N06LT4G
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
Fairchild Semiconductor
Beschreibung
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Paket
Bulk
Serie
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten
DPAK
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @Id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 5 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1.14 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±15V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
5V

NTD24N06LT4G Garantien

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