Vishay Siliconix SI3458BDV-T1-GE3
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- SI3458BDV-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI3458BDV-T1-GE3 Datenblatt
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant - 2647
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| Teilenummer SI3458BDV-T1-GE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP |
| Paket -Reel® |
| Serie TrenchFET® |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Gerätepaket des Lieferanten 6-TSOP |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 3.3W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.1A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 3.2A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 3V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 350 pF @ 30 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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Bemerkungen
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