Vishay Siliconix SI3458BDV-T1-GE3
- SI3458BDV-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI3458BDV-T1-GE3 Datenblatt
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2647
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer SI3458BDV-T1-GE3 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Vishay Siliconix |
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP |
Paket -Reel® |
Serie TrenchFET® |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Gerätepaket des Lieferanten 6-TSOP |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 3.3W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.1A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 3.2A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 3V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 350 pF @ 30 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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Bemerkungen
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