ON Semiconductor NTMFS006N12MCT1G
- NTMFS006N12MCT1G
- ON Semiconductor
- POWER MOSFET, 120V SINGLE N CHAN
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- NTMFS006N12MCT1G Datenblatt
- 8-PowerTDFN, 5 Leads
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 9900
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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| Teilenummer NTMFS006N12MCT1G |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller ON Semiconductor |
| Beschreibung POWER MOSFET, 120V SINGLE N CHAN |
| Paket Cut Tape (CT) |
| Serie - |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Gerätepaket des Lieferanten 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 2.7W (Ta), 104W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 120 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 15A (Ta), 93A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 46A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 260µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 3365 pF @ 60 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 6V, 10V |
NTMFS006N12MCT1G Garantien



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