ON Semiconductor NTMFS3D6N10MCLT1G
- NTMFS3D6N10MCLT1G
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 19.5A/131A 5DFN
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- NTMFS3D6N10MCLT1G Datenblatt
- 8-PowerTDFN, 5 Leads
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 1685
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer NTMFS3D6N10MCLT1G |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 19.5A/131A 5DFN |
Paket Cut Tape (CT) |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Gerätepaket des Lieferanten 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 136W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 19.5A (Ta), 131A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 48A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 3V @ 270µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 4411 pF @ 50 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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