ON Semiconductor NVMFS6H818NLT1G
- NVMFS6H818NLT1G
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- NVMFS6H818NLT1G Datenblatt
- 8-PowerTDFN, 5 Leads
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 27571
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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| Teilenummer NVMFS6H818NLT1G |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller ON Semiconductor |
| Beschreibung MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN |
| Paket Tape & Reel (TR) |
| Serie Automotive, AEC-Q101 |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Gerätepaket des Lieferanten 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 140W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 22A (Ta), 135A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2V @ 190µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 3844 pF @ 40 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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