NXP USA Inc. PMFPB6545UP,115
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- PMFPB6545UP,115
- NXP USA Inc.
- MOSFET P-CH 20V 3.5A DFN2020-6
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- PMFPB6545UP,115 Datenblatt
- 6-UDFN Exposed Pad
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant - 17049
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Lieferservice:
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| Teilenummer PMFPB6545UP,115 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller NXP USA Inc. |
| Beschreibung MOSFET P-CH 20V 3.5A DFN2020-6 |
| Paket -Reel® |
| Serie - |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 6-UDFN Exposed Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten 6-HUSON (2x2) |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 520mW (Ta), 8.3W (Tc) |
| FET-Typ P-Channel |
| FET-Funktion Schottky Diode (Isolated) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.5A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @Id 1V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 380 pF @ 10 V |
| Vgs (Max) ±8V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 1.8V, 4.5V |
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