NXP USA Inc. PMV22EN,215
- PMV22EN,215
- NXP USA Inc.
- MOSFET N-CH 30V 5.2A TO236AB
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- PMV22EN,215 Datenblatt
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant
- 25753
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer PMV22EN,215 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller NXP USA Inc. |
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 5.2A TO236AB |
Paket -Reel® |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Gerätepaket des Lieferanten SOT-23 (TO-236AB) |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 510mW (Ta) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 5.2A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 5.2A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 480 pF @ 15 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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Bemerkungen
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