NXP USA Inc. PSMN8R0-30YL,115
- PSMN8R0-30YL,115
- NXP USA Inc.
- MOSFET N-CH 30V 62A LFPAK56
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- PSMN8R0-30YL,115 Datenblatt
- SC-100, SOT-669
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2662
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer PSMN8R0-30YL,115 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller NXP USA Inc. |
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 62A LFPAK56 |
Paket Cut Tape (CT) |
Serie TrenchMOS™ |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer SC-100, SOT-669 |
Gerätepaket des Lieferanten LFPAK56, Power-SO8 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 56W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 62A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.3mOhm @ 15A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 2.15V @ 1mA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 18.3 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1005 pF @ 15 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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Bemerkungen
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