R1RW0408DGE-2LR#B1

Renesas Electronics America Inc R1RW0408DGE-2LR#B1

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  • R1RW0408DGE-2LR#B1
  • Renesas Electronics America Inc
  • IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
  • Memory
  • R1RW0408DGE-2LR#B1 Datenblatt
  • 36-BSOJ (0.400\", 10.16mm Width)
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 1702
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
  • Klicken Sie hier, um Preise zu erhalten
Teilenummer
R1RW0408DGE-2LR#B1
Kategorie
Memory
Hersteller
Renesas Electronics America Inc
Beschreibung
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
Paket
Tube
Serie
-
Spannung - Versorgung
3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur
0°C ~ 70°C (TA)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
36-BSOJ (0.400\", 10.16mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten
36-SOJ
Speichergröße
4Mb (512K x 8)
Technologie
SRAM
Speichertyp
Volatile
Taktfrequenz
-
Zugriffszeit
12 ns
Gedächtnis-Format
SRAM
Schreibzykluszeit – Wort, Seite
12ns
Speicherschnittstelle
Parallel

R1RW0408DGE-2LR#B1 Garantien

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