Renesas Electronics America Inc R1RW0416DGE-2PI#B1
- R1RW0416DGE-2PI#B1
- Renesas Electronics America Inc
- IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
- Memory
- R1RW0416DGE-2PI#B1 Datenblatt
- 44-BSOJ (0.400\", 10.16mm Width)
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 25336
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer R1RW0416DGE-2PI#B1 |
Kategorie Memory |
Hersteller Renesas Electronics America Inc |
Beschreibung IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ |
Paket Tube |
Serie - |
Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 44-BSOJ (0.400\", 10.16mm Width) |
Gerätepaket des Lieferanten 44-SOJ |
Speichergröße 4Mb (256K x 16) |
Technologie SRAM |
Speichertyp Volatile |
Taktfrequenz - |
Zugriffszeit 12 ns |
Gedächtnis-Format SRAM |
Schreibzykluszeit – Wort, Seite 12ns |
Speicherschnittstelle Parallel |
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