Fairchild Semiconductor RF1S70N06SM
- RF1S70N06SM
- Fairchild Semiconductor
- N-CHANNEL POWER MOSFET
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- RF1S70N06SM Datenblatt
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4144
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Teilenummer RF1S70N06SM |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Fairchild Semiconductor |
Beschreibung N-CHANNEL POWER MOSFET |
Paket Bulk |
Serie PSPICE® |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Gerätepaket des Lieferanten TO-263AB |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 150W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 70A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 70A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 215 nC @ 20 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 3000 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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Bemerkungen
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