RFM12N10

Harris Corporation RFM12N10

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  • RFM12N10
  • Harris Corporation
  • N-CHANNEL POWER MOSFET
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • RFM12N10 Datenblatt
  • -
  • Tape & Reel (TR)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 27879
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
RFM12N10
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
Harris Corporation
Beschreibung
N-CHANNEL POWER MOSFET
Paket
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Betriebstemperatur
-
Montageart
-
Paket/Koffer
-
Gerätepaket des Lieferanten
-
Technologie
-
Verlustleistung (max.)
-
FET-Typ
-
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
-
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @Id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
-
Vgs (Max)
-
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
-

RFM12N10 Garantien

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