ON Semiconductor NTTFS1D2N02P1E
- NTTFS1D2N02P1E
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- NTTFS1D2N02P1E Datenblatt
- 8-PowerWDFN
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 7561
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer NTTFS1D2N02P1E |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 8-PowerWDFN |
Gerätepaket des Lieferanten 8-PQFN (3.3x3.3) |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 820mW (Ta), 52W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 23A (Ta), 180A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1mOhm @ 38A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 2V @ 934µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 4.5 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 4040 pF @ 13 V |
Vgs (Max) +16V, -12V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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Bemerkungen
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