Rohm Semiconductor RGTH60TS65GC11
- RGTH60TS65GC11
- Rohm Semiconductor
- IGBT 650V 58A 197W TO-247N
- Transistors - IGBTs - Single
- RGTH60TS65GC11 Datenblatt
- TO-247-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4669
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer RGTH60TS65GC11 |
Kategorie Transistors - IGBTs - Single |
Hersteller Rohm Semiconductor |
Beschreibung IGBT 650V 58A 197W TO-247N |
Paket Tube |
Serie - |
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-247-3 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-247N |
Power-Max 197 W |
Eingabetyp Standard |
Reverse Recovery Time (trr) - |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 58 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 650 V |
IGBT-Typ Trench Field Stop |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 30A |
Gate-Gebühr 58 nC |
Td (ein/aus) bei 25 °C 27ns/105ns |
Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
Strom – Kollektor gepulst (Icm) 120 A |
Energie wechseln - |
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