Renesas Electronics America Inc RJK03M4DPA-00#J5A
- RJK03M4DPA-00#J5A
- Renesas Electronics America Inc
- MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- RJK03M4DPA-00#J5A Datenblatt
- 8-WFDFN Exposed Pad
- Tape & Box (TB)
-
Lead free / RoHS Compliant - 1001
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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| Teilenummer RJK03M4DPA-00#J5A |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Renesas Electronics America Inc |
| Beschreibung MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK |
| Paket Tape & Box (TB) |
| Serie - |
| Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-WFDFN Exposed Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten 8-WPAK |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 30W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 35A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 17.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id - |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 2170 pF @ 10 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
RJK03M4DPA-00#J5A Garantien



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