Renesas Electronics America Inc RJK2006DPE-00#J3
- RJK2006DPE-00#J3
- Renesas Electronics America Inc
- MOSFET N-CH 200V 40A 4LDPAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- RJK2006DPE-00#J3 Datenblatt
- SC-83
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4943
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer RJK2006DPE-00#J3 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Renesas Electronics America Inc |
Beschreibung MOSFET N-CH 200V 40A 4LDPAK |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie - |
Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer SC-83 |
Gerätepaket des Lieferanten LDPAK |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 100W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 40A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 59mOhm @ 20A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id - |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1800 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±30V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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