Toshiba Semiconductor and Storage RN1101MFV,L3XHF(CT
- RN1101MFV,L3XHF(CT
- Toshiba Semiconductor and Storage
- AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER
- Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
- RN1101MFV,L3XHF(CT Datenblatt
- SOT-723
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 3880
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer RN1101MFV,L3XHF(CT |
Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
Beschreibung AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER |
Paket Bulk |
Serie Automotive, AEC-Q101 |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer SOT-723 |
Gerätepaket des Lieferanten VESM |
Power-Max 150 mW |
Transistortyp NPN - Pre-Biased |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100 mA |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 50 V |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) 500nA |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V |
Frequenzübergang - |
Widerstandsbasis (R1) 4.7 kOhms |
Widerstand – Emitterbasis (R2) 4.7 kOhms |
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