RN1105MFV,L3XHF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage RN1105MFV,L3XHF(CT

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  • RN1105MFV,L3XHF(CT
  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=2.2K, Q1BER
  • Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
  • RN1105MFV,L3XHF(CT Datenblatt
  • SOT-723
  • Cut Tape (CT)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 26086
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
RN1105MFV,L3XHF(CT
Kategorie
Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=2.2K, Q1BER
Paket
Cut Tape (CT)
Serie
Automotive, AEC-Q101
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
SOT-723
Gerätepaket des Lieferanten
VESM
Power-Max
150 mW
Transistortyp
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
100 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
50 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Strom – Kollektorabschaltung (max.)
500nA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Frequenzübergang
-
Widerstandsbasis (R1)
2.2 kOhms
Widerstand – Emitterbasis (R2)
47 kOhms

RN1105MFV,L3XHF(CT Garantien

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Toshiba Semiconductor and Storage is a company dedicated to the research, development, production, and sales of semiconductor and storage solutions. In 1875, Toshiba Semiconductor and Storage was founded in Tokyo, Japan. The company's products...
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