SI1023CX-T1-GE3

Vishay Siliconix SI1023CX-T1-GE3

Das Bild dient nur als Referenz, bitte beachten Sie die Produktspezifikation

  • SI1023CX-T1-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET 2P-CH 20V SC89-6
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
  • SI1023CX-T1-GE3 Datenblatt
  • SOT-563, SOT-666
  • Cut Tape (CT)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 29598
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
SI1023CX-T1-GE3
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V SC89-6
Paket
Cut Tape (CT)
Serie
TrenchFET®
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket des Lieferanten
SC-89 (SOT-563F)
Power-Max
220mW
FET-Typ
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
756mOhm @ 350mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @Id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
45pF @ 10V

SI1023CX-T1-GE3 Garantien

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