SIA918EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix SIA918EDJ-T1-GE3

Das Bild dient nur als Referenz, bitte beachten Sie die Produktspezifikation

  • SIA918EDJ-T1-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
  • SIA918EDJ-T1-GE3 Datenblatt
  • PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 20963
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
SIA918EDJ-T1-GE3
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6
Paket
Tube
Serie
TrenchFET®
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gerätepaket des Lieferanten
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Power-Max
7.8W
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
58mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @Id
900mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
-

SIA918EDJ-T1-GE3 Garantien

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