Vishay Siliconix SI1062X-T1-GE3
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- SI1062X-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 20V SC89-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI1062X-T1-GE3 Datenblatt
- SC-89, SOT-490
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant - 9999
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| Teilenummer SI1062X-T1-GE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET N-CH 20V SC89-3 |
| Paket -Reel® |
| Serie TrenchFET® |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer SC-89, SOT-490 |
| Gerätepaket des Lieferanten SC-89-3 |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 220mW (Ta) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 530mA (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @Id 1V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 2.7 nC @ 8 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 43 pF @ 10 V |
| Vgs (Max) ±8V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 1.5V, 4.5V |
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Bemerkungen
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